在電力電子系統(tǒng)中，功率半導體分立器件的性能直接影響整體系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。因此，準確地測量和理解這些器件在各種工作條件下的動態(tài)特性是設計和應用的關(guān)鍵。雙脈沖測試作為一種評估這些特性的標準方法，能夠提供關(guān)于器件行為的深入洞察。
 

　　雙脈沖測試簡介
 

　　一、什么是雙脈沖測試
 

　　雙脈沖測試的基本原理是在受控的實驗環(huán)境中，對MOSFET或IGBT施加兩個短暫的脈沖信號。
 

　　第一個脈沖用于將器件從關(guān)閉狀態(tài)切換到開啟狀態(tài)，以獲得一定電流，而第二個脈沖則是用來模擬器件在實際應用中可能遇到的再次開啟。
 

　　通過測量器件在兩次脈沖之間的響應，包括開關(guān)時間、開關(guān)能量、電流和電壓波形等，可以詳細了解器件的動態(tài)性能。
 

　　二、為什么要進行雙脈沖測試
 

　　雙脈沖測試能夠模擬功率半導體在電路中真實的工作狀態(tài)，特別是開關(guān)過程中的動態(tài)行為，達到以下幾種效果：
 

　　1、測定器件的開關(guān)時間、損耗以及其他關(guān)鍵性能參數(shù)，為設計高效和可靠的電力電子系統(tǒng)提供關(guān)鍵參考。
 

　　2、揭示器件在高速開關(guān)和大電流負載下的熱行為和電壓應力情況，以預測器件的長期穩(wěn)定性和故障率。
 

　　3、優(yōu)化器件的驅(qū)動策略，提高系統(tǒng)的整體性能和效率。
 

　　功率半導體分立器件測試能力
 

　　一、測試設備
 

　　我司具備完整的動態(tài)測試平臺，適應各類型分立器件的開關(guān)、反向恢復測試。
 

　　設備特點：
 

　　●  針對SiC MOS及IGBT設計
 

　　●  800 V/150 A的工作范圍
 

　　●  可自定義脈沖寬度

 

　　二、測試案例
 

　　1、Switching Time
 

　　2、Reverse Recovery
 

　　功率半導體分立器件測試服務介紹
 

　　廣電計量引進國內(nèi)外的測試技術(shù)和設備，具備功率半導體器件的全參數(shù)測試能力。
 

　　在第三代半導體領(lǐng)域，針對SiC功率器件的高壓、高溫、大功率等特點，現(xiàn)行的測試技術(shù)及設備已不能有效模擬出器件的工作壽命和偏置下的應力狀態(tài)廣電計量采用全新的硬件設計方案及制板工藝成功實現(xiàn)高達1000V的HV-H3TRB和HV-HAST和高達225°C的HTXB試驗能力，充分驗證SiC功率器件的極限工作穩(wěn)定性，彌補了國內(nèi)相關(guān)器件可靠性驗證技術(shù)的空白。為國內(nèi)三分之二的功率器件企業(yè)提供參數(shù)測試、可靠性試驗及失效分析。
 

　　第三代半導體檢測領(lǐng)域合作客戶超過80家，樣品數(shù)量三十余萬件。成功案例：順利為包括泰科天潤、瞻芯電子、三安集成、清純半導體、基本半導體、愛仕特等在內(nèi)企業(yè)提供SBD、MOS的全套AEC-0101認證服務。